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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司

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深圳市联世界科技有限公司

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深圳市力拓辉电子有限公司

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深圳市华斯顿科技有限公司

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标准国际(香港)有限公司

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深圳市一线半导体有限公司

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深圳市川科科技有限公司

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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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深圳市宏世佳电子科技有限公司

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FAIRCHILDSEMTO-92-3

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深圳诚思涵科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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BC212B

onsemiTO-92(TO-226)

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深圳市安富世纪电子有限公司

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FAIRCHILD原厂正规渠道

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-92(TO-226)

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深圳市科雨电子有限公司

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CENTRALTO-92

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深圳市博中泰实业有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-92

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全新原装现货

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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BC212B

JXK/杰信科TO-92

999999

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深圳市宸远科技有限公司

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NATO-92

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BC212B_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC212B_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC212B_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC212B_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC212BG功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC212BRL1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC212BRL1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BC212B

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    600mV @ 5mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 2mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    280MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS PNP 50V 0.1A TO92

晶体管资料

  • 型号：

    BC212B

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性质：

    通用型 （Uni）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    60V

  • 最大电流允许值：

    0.2A

  • 最大工作频率：

    >200MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BC256,BC266,BC566,3CG20B,

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍数：

    β=400

  • 图片代号：

    A-23

  • vtest：

    60

  • htest：

    200000100

  • atest：

    0.2

  • wtest：

    0.3

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