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BC212B	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC212BG	文件：60.04 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：60.04 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC212BRL1G	文件：60.04 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：60.04 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC212B	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA.\n• Sourced from process 68.	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC212B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BC212B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC256,BC266,BC566,3CG20B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β=400
图片代号：
A-23
vtest：
60
htest：
200000100
atest：
0.2
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
BC212B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
280MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 50V 0.1A TO92

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