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BF298	文件：142.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNHIGHVOLTAGEVIDEOAMPLIFIERS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BQ298XYZ	文件：2.04955 Mbytes Page：27 Pages	BQ298xyzVoltage,Current,TemperatureProtectorswithanIntegratedHigh-SideNFETDriverforFast/FlashChargingSingle-CellLi-IonandLi-PolymerBatteries	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ298XYZ	文件：1.90946 Mbytes Page：27 Pages	BQ298xyzVoltage,Current,TemperatureProtectorswithanIntegratedHigh-SideNFETDriverforFast/FlashChargingSingle-CellLi-IonandLi-PolymerBatteries	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ298XYZ	文件：1.63287 Mbytes Page：29 Pages	BQ298xyzVoltage,Current,TemperatureProtectorswithanIntegratedHigh-SideNFETDriverforFast/FlashChargingSingle-CellLi-IonandLi-PolymerBatteries 1Features •Voltageprotection: –Overvoltage(OV):±10mV –Undervoltage(UV):±20mV •Currentprotection: –Overcurrentincharge(OCC):±1mV –Overcurrentindischarge(OCD):±1mV –Shortcircuitindischarge(SCD):±5mV •Temperatureprotection: –Overtemperature(OT) •Addition	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
BQ298XYZ	文件：1.63497 Mbytes Page：29 Pages	BQ298xyzVoltage,Current,TemperatureProtectorswithanIntegratedHigh-SideNFETDriverforFast/FlashChargingSingle-CellLi-IonandLi-PolymerBatteries 1Features •Voltageprotection: –Overvoltage(OV):±10mV –Undervoltage(UV):±20mV •Currentprotection: –Overcurrentincharge(OCC):±1mV –Overcurrentindischarge(OCD):±1mV –Shortcircuitindischarge(SCD):±5mV •Temperatureprotection: –Overtemperature(OT) •Addition	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
BSP298	文件：182.43 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.1...4.0V •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249221	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP298	文件：170.05 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalancherated) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.1...4.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP298	文件：3.21345 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUV298AV	文件：395.7 Kbytes Page：7 Pages	NPNTRANSISTORPOWERMODULE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BUV298AV	文件：103.34 Kbytes Page：7 Pages	NPNTRANSISTORPOWERMODULE NPNTRANSISTORPOWERMODULE ■HIGHCURRENTPOWERBIPOLARMODULE ■VERYLOWRthJUNCTIONCASE ■SPECIFIEDACCIDENTALOVERLOADAREAS ■INSULATEDCASE(2500VRMS) ■EASYTOMOUNT ■LOWINTERNALPARASITICINDUCTANCE INDUSTRIALAPPLICATIONS: ■MOTORCONTROL ■SMPS&UPS ■WELDINGEQUIPMEN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BC298(-6...-8)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC328,BC636,BC728,BC828,3CK10E,
最大耗散功率：
0.375W
放大倍数：
β=500
图片代号：
D-8
vtest：
30
htest：
250000000
atest：
1
wtest：
0.375

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