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BFP183R	文件：58.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto28mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto28mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP183T	文件：93.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ●Lowpowerapplications ●Lownoisefigure ●HightransitionfrequencyfT=8GHz Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP183TRW	文件：93.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ●Lowpowerapplications ●Lownoisefigure ●HightransitionfrequencyfT=8GHz Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP183TW	文件：93.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ●Lowpowerapplications ●Lownoisefigure ●HightransitionfrequencyfT=8GHz Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP183W	文件：59.48 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP183W	文件：78.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvisibleleads •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP183W	文件：82.8 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP183W	文件：548.79 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR183	文件：80.14 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
BC183C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3

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