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BFP183W分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BFP183W

参数属性

BFP183W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA)

封装外壳

SC-82A,SOT-343

文件大小

59.48 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

SIEMENS

中文名称

西门子

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更新时间

2026-2-10 8:48:00

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BFP183W规格书详情

NPN Silicon RF Transistor

• For low noise, high-gain broadband amplifiers at

collector currents from 2 mA to 30 mA

• fT = 8 GHz

F = 1.2 dB at 900 MHz

产品属性

  • 产品编号:

    BFP183WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    8.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    22dB

  • 功率 - 最大值:

    450mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 15mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT343-3D

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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