BFP182W分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFP182W |
| 参数属性 | BFP182W 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 封装外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
77.77 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 10:12:00 |
| 人工找货 | BFP182W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFP182W规格书详情
BFP182W属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP182W晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
• For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA
• fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz
• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads
• Qualification report according to AEC-Q101 available
产品属性
更多- 产品编号：
BFP182WH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益：
22dB
- 功率 - 最大值：
250mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 10mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
PG-SOT343-3D
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEN |
23+ |
SOT343 |
7936 |
询价 | |||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-SOT343-4 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
infineon |
16+ |
原厂封装 |
10000 |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
SOT-323 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
06+ |
SOT343-4 |
9000 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
SOT-343 |
20927 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
1922+ |
SOT-343 |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
