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BC183C	文件：128.31 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifer VCBO Collector-Base Voltage 45 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 100 mA PC Collector Dissipation (Ta=25°C) 350 mW TSTG , TJ Storage Junction Temperature Range - 55 ~ 150 °C 文件：128.31 Kbytes 页数：3 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC183C	文件：118.63 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors 文件：118.63 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC183C	文件：207.73 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：207.73 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC183C	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 30V 0.1A TO-92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC183C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC183C_J35Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BC183C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3

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更多BC183C供应商更新时间2025-10-4 14:30:00

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