BFP183W分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

BFP183W属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP183W晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For low noise, high-gain broadband amplifiers at

collector currents from 2 mA to 30 mA

• fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package

with visible leads

• Qualification report according to AEC-Q101 available