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BFR182TW	文件：564.27 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiers atcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lownoisefigure ·Highpowergain	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR182W	文件：79.15 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR182W	文件：55.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHzF=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFR182W	文件：517.63 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR182W	文件：672.28 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY182	文件：121.88 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz,F=2.4dBat2GHz •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFY182	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.4dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY182	文件：148.58 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY182ES	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.4dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY182H	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.4dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BC182L_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 50V 100mA HFE/5
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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