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BFY182	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor • HiRel Discrete and Microwave Semiconductor • For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. • Hermetically sealed microwave package • fT= 8 GHz F = 2.4 dB at 2 GHz • eesa Space Qualified ESA/SCC Detail Spec. 文件：29.17 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFY182	文件：121.88 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor) Features • HiRel Discrete and Microwave Semiconductor • For low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA • Hermetically sealed microwave package • fT = 8 GHz, F = 2.4 dB at 2 GHz • eesa qualified • ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006 文件：121.88 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BFY182	文件：148.58 Kbytes Page：4 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor 文件：148.58 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFY182	文件：300 bytes Page：1 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BFY182ES	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor • HiRel Discrete and Microwave Semiconductor • For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. • Hermetically sealed microwave package • fT= 8 GHz F = 2.4 dB at 2 GHz • eesa Space Qualified ESA/SCC Detail Spec. 文件：29.17 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFY182H	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor • HiRel Discrete and Microwave Semiconductor • For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. • Hermetically sealed microwave package • fT= 8 GHz F = 2.4 dB at 2 GHz • eesa Space Qualified ESA/SCC Detail Spec. 文件：29.17 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFY182P	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor • HiRel Discrete and Microwave Semiconductor • For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. • Hermetically sealed microwave package • fT= 8 GHz F = 2.4 dB at 2 GHz • eesa Space Qualified ESA/SCC Detail Spec. 文件：29.17 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFY182S	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor • HiRel Discrete and Microwave Semiconductor • For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. • Hermetically sealed microwave package • fT= 8 GHz F = 2.4 dB at 2 GHz • eesa Space Qualified ESA/SCC Detail Spec. 文件：29.17 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFY182_11	文件：148.58 Kbytes Page：4 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor 文件：148.58 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
BFY182
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
HiRel NPN Silicon RF Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	BFY182ESZZZA1	INFINEON	22+	CG-UX-4	8000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BFY182SAMZZZA1	INFINEON	23+	CG-UX-4	8000	只做原装现货	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	BFY193PZZZA1	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价

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