| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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17年
留言
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FairchildTO-92 |
9915 |
24+ |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
22360 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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11年
留言
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FSCTO-92 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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16年
留言
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FAIRCHILDSEMTO-92-3 |
3577 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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14年
留言
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FSCN/A |
21322 |
24+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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6年
留言
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NATIONALSEMI原厂正规渠道 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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18年
留言
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NSC |
2450 |
24+/25+ |
原装正品现货库存价优 |
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8年
留言
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FSCTO220 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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8年
留言
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NATIONAL SEMICONDUCTORSMD |
3910 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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17年
留言
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FAI |
4000 |
24+ |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
7734 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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11年
留言
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fsc |
500000 |
25+ |
行业低价,代理渠道 |
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16年
留言
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MOT |
14600 |
23+ |
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6年
留言
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FAIRCHILD原厂正规渠道 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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18年
留言
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CDIL |
255 |
24+/25+ |
原装正品现货库存价优 |
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13年
留言
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FSCTO-92 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
BC184L采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC184L图片
BC184LC中文资料Alldatasheet PDF
更多BC184L功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 500mA HFE/9 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC184LC功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 200mA HFE/9 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC184LC_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 200mA HFE/900 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC184LC_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT W/CNTR COLLECTOR PINOUT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC184LC_L34Z功能描述:两极晶体管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC184LC_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 200mA HFE/9 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC184L-ME制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:NPN transistor,BC184L 0.1A Ic 5Vce
产品属性
- 产品编号:
BC184L
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
130 @ 100mA,5V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS NPN 30V 0.5A TO92-3
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
通用型 (Uni)_低噪放大 (ra)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
45V
- 最大电流允许值:
0.2A
- 最大工作频率:
>150MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC384,BC413,BC550,3DG130B,
- 最大耗散功率:
0.3W
- 放大倍数:
β=900
- 图片代号:
A-20
- vtest:
45
- htest:
150000100
- atest:
0.2
- wtest:
0.3
























