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BD140	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor 1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD140	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistors DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD140	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS POWERTRANSISTORSPNPSILICON	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD140	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD140	文件：76.38 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD140	文件：53.9 Kbytes Page：2 Pages	PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD140	文件：57.38 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD140	文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD140	文件：111.28 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Highcurrent ·ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS ·Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD140	文件：36.95 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent.(Max.:-1.5A) •DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=-0.15A •ComplementarytoBD139.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

晶体管资料

型号：
BC140(C,D)(-6...-25)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC301,3DG3D,
最大耗散功率：
0.7W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.7

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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