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NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalyzers,etc.,usingSMDtechnology. | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
BLC149 | BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司 | Belling | ||
SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) ●VDS200V ●ID0.48A ●RDS(on)3.5Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司 | SIEMENS | ||
SIPMOSSmall-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •N-channel •Depletionmode •dv/dtrated •AvailablewithVGS(th)indicatoronreel •Pb-freeleadplating;RoHScompliant | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES Vos=200V Ib=10A@Ves=10V Rosion)£1.35Q@Ves=10V SOT-223package. | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) SIPMOS®Small-SignalTransistor ●VDS200V ●ID0.35A ●RDS(on)3.5Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司 | SIEMENS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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