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BAV199WST	文件：1.94958 Mbytes Page：15 Pages	丝印：K52；Package：SOD-523FL；Surface Mount Switching Diode Array 文件：1.94958 Mbytes 页数：15 Pages	FUTUREWAFER	FUTUREWAFER
BAV199WTQ	文件：759.17 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K52；Package：SOT-323；High Speed Switching Diode 文件：759.17 Kbytes 页数：4 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
BAV199W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Switching Diode The UTC BAV199W is a dual surface mount diode providing the designers with extremely low leakage current.The UTC BAV199W is suitable for automatic insertion · Extremely Low Leakage Current;	UTC 友顺	UTC
BAV199W	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号开关二极管分立	Panjit 強茂	Panjit
BAV199W	文件：300 bytes Page：1 Pages	switching diode	Diodes 美台半导体	Diodes
BAV199W_R1_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：SOT-323, SWITCHING	Panjit International Inc.	Panjit International Inc.
BAV199W-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 85V 140MA SOT323	DIODES 美台半导体	DIODES
BAV199WQ-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODES ARRAY GP 100V SOT323	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
200 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
85 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
3000 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
160 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.005 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
75 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
85
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
VF(V) Max @ IF=10mA：
0.855
IR(uA) Max @ VR=80V：
5nA@75V
Packages：
SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BAV199W供应商更新时间2026-1-27 14:46:00

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