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BAS521LPQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE •Fast Switching Speed: Maximum of 50ns\n•Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or Maximum of 150nA when VR = 250V at Room Temperature\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\n•PPAP Capable\n;	Diodes 美台半导体	Diodes
BAS521LPQ-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0402（1006 公制）；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 325V 400MA X1-DFN1006-2	PAM 龙鼎微	PAM
BAS521Q	文件：309.69 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Features  Fast Switching Speed: max. 50 ns  High Reverse Breakdown Voltage: 300V  Low Leakage Current: 100nA at room temperature  Ultra Small Plastic SMD Package  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to 文件：309.69 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS521-Q	文件：199.7 Kbytes Page：9 Pages	High-voltage switching diode 1. General description High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small SOD523 (SC-79) flat lead Surface- Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 50 ns • High reverse voltage: VR ≤ 300 V • Repetitive peak forward current: IFR 文件：199.7 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521V	文件：359.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：359.53 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Configuration：
Single
Polarity：
Anode
Power Rating：
400 mW
ESD Diodes：
No Y/N
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM：
325 V
Reverse Recovery Time trr：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO：
400 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM：
8 A
Forward Voltage Drop VF @ IF：
1.1 mA
Maximum Reverse Current IR：
0.15 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR：
325 V
V(BR)R (V) Min @IR=100μA：
300
Total Capacitance CT：
5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
N/A
VF(V) Max @ IF=10mA：
N/A
VF(V) Max @ IF=100mA：
1
IR(nA) Max @ VR=5V：
N/A
IR(uA) Max @ VR=30V：
N/A
IR(uA) Max @ VR=80V：
150nA@250V
Packages：
X1-DFN1006-2

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技术参数

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