BAS521LPQ中文资料HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
BAS521LPQ |
| 参数属性 | BAS521LPQ 封装/外壳为0402（1006 公制）；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GP 325V 400MA X1-DFN1006-2 |
| 功能描述 | HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
| 封装外壳 | 0402（1006 公制） |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-7 23:01:00 |
| 人工找货 | BAS521LPQ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAS521LPQ规格书详情
特性 Features
•Fast Switching Speed: Maximum of 50ns
•Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or Maximum of 150nA when VR = 250V at Room Temperature
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
•PPAP Capable
简介
BAS521LPQ属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由Diodes制造生产的BAS521LPQ二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：BAS521LPQ
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Configuration
：Single
- Polarity
：Anode
- Power Rating
：400 mW
- ESD Diodes
：No Y/N
- Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM
：325 V
- Reverse Recovery Time trr
：50 ns
- Maximum Average Rectifier Current IO
：400 mA
- Maximum Peak Forward Surge Current IFSM
：8 A
- Forward Voltage Drop VF @ IF
：1.1 mA
- Maximum Reverse Current IR
：0.15 µA
- Maximum Reverse Current IR @ VR
：325 V
- V(BR)R (V) Min @IR=100μA
：300
- Total Capacitance CT
：5 pF
- VF(V) Max @ IF=1.0mA
：N/A
- VF(V) Max @ IF=10mA
：N/A
- VF(V) Max @ IF=100mA
：1
- IR(nA) Max @ VR=5V
：N/A
- IR(uA) Max @ VR=30V
：N/A
- IR(uA) Max @ VR=80V
：150nA@250V
- Packages
：X1-DFN1006-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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