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BAS521LP-7	文件：90.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Features • Fast Switching Speed: Maximum of 50ns • High Reverse Breakdown Voltage: 325V • Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or Maximum of 150nA when VR = 250V at Room Temperature • Ultra Small Plastic SMD Package: 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm • Totally Lead-Free & Fully RoHS 文件：90.12 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS521LP-7	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：87.26 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS521LP-7	文件：120.97 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：120.97 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS521LP-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0402（1006 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 325V 400MA 2DFN	PAM 龙鼎微	PAM
BAS521LP-7B	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：87.26 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS521LP-7B	文件：120.97 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：120.97 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS521LP-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0402（1006 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 325V 400MA 2DFN	PAM 龙鼎微	PAM

产品属性

产品编号：
BAS521LP-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
400mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0402（1006 公制）
供应商器件封装：
X1-DFN1006-2
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 325V 400MA 2DFN

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更多BAS521LP-7供应商更新时间2025-10-6 22:58:00

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