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BAS521LP-7分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BAS521LP-7 |
| 参数属性 | BAS521LP-7 封装/外壳为0402（1006 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 325V 400MA 2DFN |
| 功能描述 | HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
| 封装外壳 | 0402（1006 公制） |
| 文件大小 |
90.12 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-21 22:30:00 |
| 人工找货 | BAS521LP-7价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAS521LP-7规格书详情
Features
• Fast Switching Speed: Maximum of 50ns
• High Reverse Breakdown Voltage: 325V
• Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or
Maximum of 150nA when VR = 250V at Room Temperature
• Ultra Small Plastic SMD Package: 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)
产品属性
- 产品编号：
BAS521LP-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
400mA
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
0402（1006 公制）
- 供应商器件封装：
X1-DFN1006-2
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 325V 400MA 2DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
24+ |
NA |
80000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
2400 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
DFN1006-2 |
54648 |
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DIODES(美台) |
21+ |
X1-DFN1006-2 |
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询价 | ||
DIODES(美台) |
2024+ |
X1-DFN1006-2 |
500000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
DFN10062 |
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DIODES |
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DFN |
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Diodes(美台) |
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NA |
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DIODES/美台 |
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DFN10062 |
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DIODES/美台 |
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DFN |
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