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BAS521WT_11

High Voltage Switching Diode

文件:484.7 Kbytes 页数:3 Pages

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

BAS52-02V

AF 肖特基二极管

硅肖特基二极管。 • 中等电流整流肖特基二极管\n• 200mA 时正向电压低\n• 反向电压高\n• 无铅(符合 RoHS 标准)封装;

Infineon

英飞凌

BAS521B

High-voltage switching diode

High-voltage switching diode in an ultra small SOD523 (SC-72) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. • High switching speed: trr ≤ 50 ns\n• Low leakage current: IR ≤ 100 nA\n• High reverse voltage: VR≤ 200V\n• Low capacitance: Cd≤ 2 pF\n• Ultra small and leadless SMD plastic package\n• AEC-Q101 qualified;

Nexperia

安世

BAS521

Switching Diode

Diodes

美台半导体

BAS5202VH6327XTSA1

Package:SC-79,SOD-523;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2

INFINEON

英飞凌

BAS5202VH6433XTMA1

Package:SC-79,SOD-523;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2

INFINEON

英飞凌

BAS521,115

Package:SC-79,SOD-523;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

技术参数

  • IFmax:

    750 mA

  • VFmax:

    600 mV

  • VRmax:

    45 V

  • Mounting:

    SMT

  • Configuration:

    1 Independent

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
2009
8000
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INFINEON
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2009
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更多BAS52供应商 更新时间2026-10-30 15:01:00