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BAS40-06	文件：66.17 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY DIODE FEATURES Powerdissipation PD:200mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BAS40-06	文件：290.84 Kbytes Page：3 Pages	Surface mount schottky barrier diode Surfacemountschottkybarrierdiode FEATURES ●Lowturn-onvoltage. ●Fastswitching. ●PNJunctionguardringfortransientand ESDprotection. APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplications. ●Circuitprotecting. ●Voltageclamping.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS40-06	文件：75.62 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES VOLTAGE-40VoltsCURRENT-0.2Ampere FEATURES Forgeneralpurposeapplications Lowforwardvoltagedrop. Fastswitchingtime. ProtectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessive voltage,suchaselectrostaticdischarge(ESD).	DCCOM Dc Components	DCCOM
BAS40-06	文件：119.14 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Features •Lowforwardvoltage •Fastswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS40-06	文件：408.35 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODE FEATURES ●LowForwardVoltage ●FastSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BAS40-06	文件：272.2 Kbytes Page：4 Pages	Marking：46；Package：SOT-23；Surface Mount Schottky Barrier Diode 200 mWatt DESCRIPTION VariousconfigurationsofSchottkybarrier’sdiodesinSOT-23packageareprovidedforgeneral-purposeuseinhigh-speedswitching,mixersanddetectorapplications.Theymayalsobeusedforsignalintegrityandcounteractthetransmission-lineeffectswith(PC)boardtrancesbycla	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAS40-06	文件：907.57 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diodes ■Features ●LowForwardVoltage ●FastSwitching	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS40-06	文件：336.19 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES0mAMPERES2040VOLTS DESCRIPTION Theseschottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplicationscircuitprotection,andvoltageclamping,Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss,Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhand	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
BAS40-06	文件：95.13 Kbytes Page：2 Pages	200mW, Low VF, SMD Schottky Barrier Diode FEATURES -Metal-on-siliconschottkybarrier -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS40-06	文件：167.82 Kbytes Page：3 Pages	Marking：CB；200mA Surface Mount Small Signal Diodes ■Features •Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching. •Smallsurfacemounttype. •Upto200mAcurrentcapability. •Lowforwardvoltagedrop(VF=1.00Vtyp.@40mA). •Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. •SuffixGindicatesHalogen-freepart,ex.BAS40G. •Le	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC

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详细参数

型号：
BAS4
制造商：
Thomas & Betts
功能描述：
Battery Terminal 4AWG Electro-Tin

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