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BAS16T	文件：245.44 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Fast Switching Diode FEATURES ●Ultra-Smallsurfacemountpackage. ●Fastswitchingspeed. ●Forgeneralpurposeswitchingappilications. ●Highconductance. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS16T	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	Marking：A6；Package：SC-75；High-speed switching diodes Featuresandbenefits Highswitchingspeed:trr4ns Lowleakagecurrent Repetitivepeakreversevoltage: VRRM100V AEC-Q101qualified Lowcapacitance Reversevoltage:VR100V SmallSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16T	文件：808.18 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A2；Package：SOT-523；Plastic-Encapsulate Diodes FEATURES FastSwitchingSpeed ForGeneralPurposeSwitchingApplications HighConductance	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BAS16T	文件：97.5 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE SiliconEpitaxialPlanarDieConstruction FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BAS16T	文件：773.63 Kbytes Page：21 Pages	High-speed switching diodes Generaldescription High-speedswitchingdiodes,encapsulatedinsmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackages Applications High-speedswitching General-purposeswitching	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16T	文件：111.26 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING DIODE FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:75mA ReverseVoltage VR:85V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BAS16T	文件：161.1 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Fast Switching Diode FEATURES •Ultra-Smallsurfacemountpackage. •Fastswitchingspeed. •Forgeneralpurposeswitchingappilications. •Highconductance. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS16T	文件：906.38 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Switching Diode FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101Qualified andPPAPCapable.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BAS16T	文件：1.82326 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHING DIODE SOT-523Plastic-EncapsulateDiode FEATURES ●FastSwitchingSpeed ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications ●HighConductance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BAS16T_09	文件：85.13 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •FastSwitchingSpeed •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance •LeadFree/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
BAS16
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23

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