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BAS116V	文件：69.09 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) MechanicalData •Case:SOT563 •CaseMaterial:MoldedPlastic,“Green”Mo	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116VY	文件：203.88 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagetripleswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolatedtriplediodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:max.5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116VY-Q	文件：203.46 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagetripleswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolatedtriplediodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:max.5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116W	文件：56.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •BothnormalandPbfreeproduct	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116W	文件：145.11 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116W	文件：125.97 Kbytes Page：2 Pages	0.215A,85VSurfaceMountSmallSignalSwitchingDiode FEATURES •Lowleakagecurrentapplications. •Mediumspeedswitchingtimes. •SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATINS •Highspeedswitchingapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS116WS	文件：58.71 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODE VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective •Greenmoldingcompoundasper	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116WS	文件：500.84 Kbytes Page：2 Pages	0.215A,85VSurfaceMountSmallSignalSwitchingDiode FEATURES •Lowleakagecurrentapplications. •Mediumspeedswitchingtimes. •SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATINS •Highspeedswitchingapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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产品属性

产品编号：
BAS116LS-QYL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
325mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-882
供应商器件封装：
DFN1006BD-2
工作温度 - 结：
150°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BAS116LS-QYL	Nexperia USA Inc.	25+	DFN1006BD-2	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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