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BAS116	文件：177.72 Kbytes Page：2 Pages	LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE Features •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent •Highswitchingspeed Application •Lowleakagecurrentapplicationsinsurfacemountedcircuits.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS116	文件：98.53 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Low Leakage Diode (Low-leakage applications Medium speed switching times Single diode) SiliconLowLeakageDiode ●Low-leakageapplications ●Mediumspeedswitchingtimes ●Singlediode	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS116	文件：989.93 Kbytes Page：2 Pages	Low Leakage Current Applications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BAS116	文件：673.4 Kbytes Page：4 Pages	Marking：JV；Package：SOT-23；SWITCHING DIODE FEATURES Lowleakagecurrentapplications Mediumspeedswitchingtimes	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BAS116	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mW SMD Switching Diode FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) MECHANICAL	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116	文件：406.09 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Switching Diodes SWITCHINGDIODE225mAMPERES75VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BAS116	文件：95.97 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE VeryLowLeakageCurrent HighConductance SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BAS116_08	文件：116.01 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadHalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116_R1_00001	文件：131.22 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES FEATURES Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116_R2_00001	文件：131.22 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES FEATURES Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
BAS1
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882; Diode
Type：
Ultrafast Recovery; Forward Current
If(AV)：
215mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm
Max：
100V; Forward Voltage VF
Max：
1.25V; Reverse Recovery Time trr
Max：
4ns; Diode Case
Style：
SOD-882 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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