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BAS11	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHINGDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BAS11	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHINGDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BAS116	文件：124.16 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakage diode DESCRIPTION Epitaxialmedium-speedswitchingdiodewithalowleakagecurrentinasmallSOT23plasticSMDpackage. FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreversevoltage:max.8	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS116	文件：205.21 Kbytes Page：10 Pages	Marking：JV；Package：SOT23；Low-leakage diode 1.Generaldescription Epitaxialmedium-speedswitchingdiodewithalowleakagecurrentinasmallSOT23plasticSMD package. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitiv	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116	文件：216.46 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Switching Diode Features ◇Lowleakagecurrentapplications. ◇Mediumspeedswitchingtimes. ◇SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. Applications ◇Highspeedswitchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS116	文件：153.56 Kbytes Page：2 Pages	225mW Switching Diode Features •Powerdissipation:225mW(Tamb=25°C) •Forwardcurrent:200mA •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:JV •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAS116	文件：131.22 Kbytes Page：5 Pages	Marking：PA；Package：SOT-23；SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES FEATURES Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116	文件：96.26 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES VOLTAGE100VoltPOWER250mWatt FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA •Case:SOT-23p	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116	文件：185.63 Kbytes Page：3 Pages	Surface mount switching diode Lead-free ●Lowleakagecurrentapplications. ●Mediumspeedswitchingtimes. ●SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS116	文件：135.66 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR SWITCHING DIODE LowLeakageApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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详细参数

型号：
BAS1
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882; Diode
Type：
Ultrafast Recovery; Forward Current
If(AV)：
215mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm
Max：
100V; Forward Voltage VF
Max：
1.25V; Reverse Recovery Time trr
Max：
4ns; Diode Case
Style：
SOD-882 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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