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BAS116LT1G_11

Switching Diode

文件:124.04 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS116LT3G

Switching Diode

文件:124.04 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS116Q-13-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:281.76 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116Q-13-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:83.05 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116Q-13-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:94.11 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116Q-7-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:94.11 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116Q-7-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:83.05 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116Q-7-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:281.76 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116QA

丝印:Z110;Package:DFN1010D-3;Low-leakage diode

文件:687.94 Kbytes 页数:12 Pages

NEXPERIA

安世

BAS116RFG

225mW, SMD Switching Diode

文件:206.57 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):

    45V

  • 电流 - 平均整流(Io):

    750mA(DC)

  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:

    600mV @ 200mA

  • 速度:

    快速恢复 = 200mA(Io)

  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:

    10µA @ 45V

  • 不同 Vr,F 时的电容:

    10pF @ 10V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SC-79,SOD-523

  • 供应商器件封装:

    PG-SC79-2

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
2023+
SOT23
3000
一级代理优势现货,全新正品直营店
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ADI
23+
PG-SC79-2
8000
只做原装现货
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ADI
23+
PG-SC79-2
7000
询价
INFINEON/英飞凌
24+
SOT23
20000
只做正品原装现货
询价
24+
2000
全新
询价
PHI
00+
SOT-23
100
原装
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INFINEON
2016+
SOT23
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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恩XP
17+
NA
6200
100%原装正品现货
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PHI
24+
SSOP
7300
原装现货假一罚十
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INFINEON
25+
SOT23-3
2650
原装优势!绝对公司现货
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更多BAS供应商 更新时间2025-11-25 15:22:00