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BAS116	文件：444.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Low Leakage Diode SiliconLowLeakageDiode •Low-leakageapplications •Mediumspeedswitchingtimes •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS116	文件：2.43396 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes Features ●Lowleakagecurrentapplications ●Mediumspeedswitchingtimes Applications ●Extremefastswitches Marking: ●JV	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
BAS116	文件：232.86 Kbytes Page：3 Pages	Surface mount switching diode FEATURES ●Lowleakagecurrentapplications. ●Mediumspeedswitchingtimes. ●SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS116_08	文件：116.01 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadHalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116_R1_00001	文件：131.22 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES FEATURES Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116_R2_00001	文件：131.22 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES FEATURES Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116_V01	文件：131.22 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES FEATURES Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116-7-F	文件：116.01 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadHalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116-AU	文件：335.38 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES VOLTAGE100VoltsPOWER250mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincomplyw	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116-AU_A0_00001	文件：335.38 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES VOLTAGE100VoltsPOWER250mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincomplyw	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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技术参数

Status：
Active
Description：
Schottky Barrier Diode
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
40
VF Max (V)：
0.4
IRM Max (uA)：
100
IO(rec) Max (A)：
1
IFSM Max (A)：
6
trr Max (ns)：
5
Cj Max (pF)：
175
Package Type：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿联芯电子科技有限公司	BAS	INFINEON/英飞凌	2023+	SOT23	3000	一级代理优势现货,全新正品直营店	询价
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