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BAR9002LSE6327XTSA1数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BAR9002LSE6327XTSA1 |
| 参数属性 | BAR9002LSE6327XTSA1 封装/外壳为0201（0603 公制）；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-2 |
| 功能描述 | RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-2 |
| 封装外壳 | 0201（0603 公制） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-15 17:00:00 |
| 人工找货 | BAR9002LSE6327XTSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAR9002LSE6327XTSA1规格书详情
简介
BAR9002LSE6327XTSA1属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的BAR9002LSE6327XTSA1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 制造商编号
：BAR9002LSE6327XTSA1
- 生产厂家
：Infineon
- 电压 - 峰值反向（最大值）
：80V
- 电流 - 最大值
：100mA
- 不同 Vr，F 时的电容
：0.35pF @ 1V，1MHz
- 不同 If，F 时的电阻
：800 毫欧 @ 10mA，100MHz
- 功率耗散（最大值）
：150mW
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 封装/外壳
：0201（0603 公制）
- 供应商器件封装
：PG-TSSLP-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
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INFINEON |
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INFINEON |
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INFINEON |
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INFINEON |
23+ |
PG-TSSLP-2 |
8000 |
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INFINEON |
23+ |
PG-TSSLP-2 |
7000 |
询价 | |||
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