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BAR6502VH6327XTSA1数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

厂商型号 |
BAR6502VH6327XTSA1 |
参数属性 | BAR6502VH6327XTSA1 封装/外壳为SC-79,SOD-523;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE PIN 30V 250MW SC79-2 |
功能描述 | PIN 二极管 RF DIODE |
封装外壳 | SC-79,SOD-523 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-15 17:02:00 |
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BAR6502VH6327XTSA1规格书详情
简介
BAR6502VH6327XTSA1属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的BAR6502VH6327XTSA1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 产品编号:
BAR6502VH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
PIN - 单
- 电压 - 峰值反向(最大值):
30V
- 不同 Vr、F 时电容:
0.8pF @ 3V,1MHz
- 不同 If、F 时电阻:
900 毫欧 @ 10mA,100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 封装/外壳:
SC-79,SOD-523
- 供应商器件封装:
PG-SC79-2
- 描述:
RF DIODE PIN 30V 250MW SC79-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
451400 |
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询价 | ||
Infineon |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
35000 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
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Infineon |
2022+ |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOD523 |
7350 |
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