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BAR6404E6327HTSA1中文资料PIN 二极管 Silicon PIN Diode 150V 100mA数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BAR6404E6327HTSA1

参数属性

BAR6404E6327HTSA1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

功能描述

PIN 二极管 Silicon PIN Diode 150V 100mA
RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 9:06:00

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BAR6404E6327HTSA1规格书详情

简介

BAR6404E6327HTSA1属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的BAR6404E6327HTSA1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BAR6404E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 二极管类型:

    PIN - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    150V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    0.35pF @ 20V,1MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23

  • 描述:

    RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

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