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BAR6402LRHE6327XTSA1数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

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厂商型号

BAR6402LRHE6327XTSA1

参数属性

BAR6402LRHE6327XTSA1 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE PIN 150V 250MW TSLP-2

功能描述

RF DIODE PIN 150V 250MW TSLP-2

封装外壳

SOD-882

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:10:00

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BAR6402LRHE6327XTSA1规格书详情

简介

BAR6402LRHE6327XTSA1属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的BAR6402LRHE6327XTSA1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAR6402LRHE6327XTSA1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 电压 - 峰值反向(最大值)

    :150V

  • 电流 - 最大值

    :100mA

  • 不同 Vr,F 时的电容

    :0.35pF @ 20V,1MHz

  • 不同 If,F 时的电阻

    :1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz

  • 功率耗散(最大值)

    :250mW

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 封装/外壳

    :SOD-882

  • 供应商器件封装

    :PG-TSLP-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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