BAR6404E6327HTSA1_分立半导体产品二极管-射频-英飞凌

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厂家型号：
BAR6404E6327HTSA1
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品二极管-射频
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
托盘
更新时间：
2025-8-5 17:29:00

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原厂料号：BAR6404E6327HTSA1品牌：Infineon Technologies

资料说明：RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

BAR6404E6327HTSA1是分立半导体产品 > 二极管 - 射频。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的BAR6404E6327HTSA1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。

芯片型号：
bar6404e6327htsa1
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
资料说明：
RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
BAR6404E6327HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
托盘
二极管类型：
PIN - 1 对串联
电压 - 峰值反向（最大值）：
150V
不同 Vr、F 时电容：
0.35pF @ 20V，1MHz
不同 If、F 时电阻：
1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
PG-SOT23
描述：
RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

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