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BAR9002ELSE6327XTSA1数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BAR9002ELSE6327XTSA1 |
| 参数属性 | BAR9002ELSE6327XTSA1 封装/外壳为0201（0603 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2 |
| 功能描述 | PIN 二极管 RF DIODES |
| 封装外壳 | 0201（0603 公制） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-15 15:05:00 |
| 人工找货 | BAR9002ELSE6327XTSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAR9002ELSE6327XTSA1规格书详情
简介
BAR9002ELSE6327XTSA1属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的BAR9002ELSE6327XTSA1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 产品编号：
BAR9002ELSE6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型：
PIN - 单
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
80V
- 不同 Vr、F 时电容：
0.35pF @ 1V，1MHz
- 不同 If、F 时电阻：
800 毫欧 @ 10mA，100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 封装/外壳：
0201（0603 公制）
- 供应商器件封装：
PG-TSSLP-2-3
- 描述：
RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
50 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PG-TSSLP-2 |
3000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
PG-TSSLP-2 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2223+ |
PG-TSSLP-2 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
Cypress Semiconductor |
2025+ |
13566 |
询价 |
