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BRA123ETP	文件：125.2 Kbytes Page：12 Pages	PNPBuilt-inResistorTransistorTO-92SeriesInverter,Driver,Switching Features •Built–inResistorType •SimplifiesCircuitDesign •ReducesBoardSpace •ComplementarypairwithBRC144ETPseries	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BRC123ECM	文件：118.33 Kbytes Page：12 Pages	NPNBuilt-inResistorTransistorCMPAKSeriesInverter,Driver,Switching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BS123	文件：38.05 Kbytes Page：2 Pages	DMOSTransistors(N-Channel) FEATURES ♦Highinputimpedance ♦Lowgatethresholdvoltage ♦Lowdrain-sourceONresistance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE
BSP123	文件：160.74 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevel) •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP123	文件：114.63 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP123	文件：2.54348 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：56.92 Kbytes Page：4 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. TheBSS123issuppliedintheSOT23subminiaturesurfacemountingpackage. FEATURES •’Trench’technology •Extremelyfastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiatur	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS123	文件：45.09 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET SOT23N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS123	文件：133.21 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS123	文件：284.54 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
BA123
制造商：
L COM
功能描述：
ADAPTOR F F/F M RIGHT ANGLE

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