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BSS123分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BSS123

参数属性

BSS123 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

功能描述

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

丝印标识

SA-

封装外壳

SOT-23

文件大小

56.92 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-2-5 17:21:00

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BSS123规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

The BSS123 is supplied in the SOT23 subminiature surface mounting package.

FEATURES

• ’Trench’ technology

• Extremely fast switching

• Logic level compatible

• Subminiature surface mounting package

Applications:-

• Relay driver

• High-speed line driver

• Telephone ringer

产品属性

  • 产品编号:

    BSS123

  • 制造商:

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    管件

  • 描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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