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BFG520SLASHX	文件：146.15 Kbytes Page：13 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre-	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
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BFG520W	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
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BFG520W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
BFG520W	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
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