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I4N60	文件：1.3059 Mbytes Page：11 Pages	丝印：B4N60；Package：TO-251；4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. Features ● Fast Switching ● ESD Improved Capability ● 文件：1.3059 Mbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
B4N60	文件：1.3059 Mbytes Page：11 Pages	丝印：I4N60；Package：TO-262；4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. Features ● Fast Switching ● ESD Improved Capability ● 文件：1.3059 Mbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
B4N60D	文件：1.92839 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.92839 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	I500-5112	CTCCERATECHCORPORATIONMADEINKO	23+	3KP 50OHM-1-100KMHZ	180000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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芯有半导体（深圳）有限公司	I5020-5	INTERSIL	00/01+	SMD8	123	全新原装100真实现货供应	询价

更多B4N60供应商更新时间2026-4-24 16:50:00