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B350A	文件：484.1 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：484.1 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B350A	文件：78.57 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 文件：78.57 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
B350A	文件：1.32674 Mbytes Page：3 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers 文件：1.32674 Mbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
B350A	文件：75.15 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：75.15 Kbytes 页数：2 Pages	CTC 沛伦	CTC
B350A	文件：454.33 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：454.33 Kbytes 页数：2 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
B350A_V01	文件：88.83 Kbytes Page：4 Pages	Surface-Mount Schottky Barrier Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency • High surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.visha 文件：88.83 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
B350AE	文件：407.41 Kbytes Page：5 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features  Reduced Low Forward Voltage Drop (VF); Better Efficiency and Cooler Operation  Reduced High-Temperature Reverse Leakage; Increased Reliability against Thermal Runaway Failure in High Temperature Operation.  Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony F 文件：407.41 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B350AE-13	文件：407.41 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B3XXAE；Package：SMA；3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features  Reduced Low Forward Voltage Drop (VF); Better Efficiency and Cooler Operation  Reduced High-Temperature Reverse Leakage; Increased Reliability against Thermal Runaway Failure in High Temperature Operation.  Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony F 文件：407.41 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B350AF	文件：405.05 Kbytes Page：5 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features  Reduced Low Forward Voltage Drop (VF); Better Efficiency and Cooler Operation  Reduced High-temperature Reverse Leakage; Increased Reliability against Thermal Runaway Failure in High Temperature Operation.  Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony F 文件：405.05 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B350AF-13	文件：405.05 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B3XXAF；Package：SMAF；3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features  Reduced Low Forward Voltage Drop (VF); Better Efficiency and Cooler Operation  Reduced High-temperature Reverse Leakage; Increased Reliability against Thermal Runaway Failure in High Temperature Operation.  Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony F 文件：405.05 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Configuration：
Single
MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)：
3 A
@ TerminalTemperature TT (ºC)：
100 ºC
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
50 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)：
80 A
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.7 V
@ IF (A)：
3 A
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
500 µA
@ VR (V)：
50 V
TotalCapacitance CT (pF)：
200 pF
Packages：
SMA

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