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B26	文件：417.02 Kbytes Page：5 Pages	型号：B260S1F-7；Package：SOD123F；2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-temperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation. Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyF	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
B26	文件：299.31 Kbytes Page：7 Pages	型号：BF570；Package：SOT23；NPN medium frequency transistor FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.15V) •Lowfeedbackcapacitance(max.2.2pF).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
B260A	文件：1.56556 Mbytes Page：2 Pages	型号：B260A；Package：DO-214AC；Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapability ◇Highcurrentcapability,lowforwardvolt	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

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文件：417.02 Kbytes

Page：5 Pages

型号：B260S1F-7；Package：SOD123F；2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-temperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation. Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyF

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

B26

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型号：BF570；Package：SOT23；NPN medium frequency transistor

FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.15V) •Lowfeedbackcapacitance(max.2.2pF).

安世安世半导体(中国)有限公司

B260A

文件：1.56556 Mbytes

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型号：B260A；Package：DO-214AC；Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapability ◇Highcurrentcapability,lowforwardvolt

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