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BD245A	文件：107.7 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD246Series ●80Wat25°CCaseTemperature ●10AContinuousCollectorCurrent ●15APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD245A	文件：149.77 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=10A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=45V(Min)-BD245;60V(Min)-BD245A 80V(Min)-BD245B;100V(Min)-BD245C •ComplementtoTypeBD246/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepowera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD245A	文件：144.79 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeBD246/A/B/C APPLICATIONS •Foruseinmediumpowerlinear andswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
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BD245B	文件：91.13 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD246Series ●80Wat25°CCaseTemperature ●10AContinuousCollectorCurrent ●15APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD245B	文件：149.77 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=10A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=45V(Min)-BD245;60V(Min)-BD245A 80V(Min)-BD245B;100V(Min)-BD245C •ComplementtoTypeBD246/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepowera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD245B	文件：107.7 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD246Series ●80Wat25°CCaseTemperature ●10AContinuousCollectorCurrent ●15APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

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