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B1100	文件：361.56 Kbytes Page：3 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：361.56 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100	文件：101.53 Kbytes Page：4 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：101.53 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100	文件：144.61 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers 文件：144.61 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
B1100-13	文件：101.53 Kbytes Page：4 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：101.53 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100-13-F	文件：361.56 Kbytes Page：3 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：361.56 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100B	文件：361.56 Kbytes Page：3 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：361.56 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100B	文件：216.38 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers 文件：216.38 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
B1100BQ	文件：393.21 Kbytes Page：5 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：393.21 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100BQ-13-F	文件：393.21 Kbytes Page：5 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：393.21 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100-FDITR	文件：101.53 Kbytes Page：4 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：101.53 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
N/P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
620
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
850
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.6
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.4
Ptot [max] (W)：
0.265
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
21.3
Coss [typ] (pF)：
5.4
Release date：
2016-06-28

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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