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B1100BQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER This Schottky Barrier Rectifier is designed to meet the general requirements of commercial & automotive applications.\n\n •Guard Ring Die Construction for Transient Protection\n•Low Power Loss, High Efficiency\n•For Use in Low Voltage Drop, High Frequency Inverters, Freewheeling, and Polarity Protection Application\n•Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\n•PPAP Capable\;	Diodes 美台半导体	Diodes
B1100B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky	Diodes 美台半导体	Diodes
B1100-13-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100AE-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA	DIODES 美台半导体	DIODES
B1100B-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
N/P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
620
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
850
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.6
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.4
Ptot [max] (W)：
0.265
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
21.3
Coss [typ] (pF)：
5.4
Release date：
2016-06-28

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