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B110LP	文件：53.22 Kbytes Page：2 Pages	Ionization Detector 文件：53.22 Kbytes 页数：2 Pages	HONEYWELL 霍尼韦尔	HONEYWELL
B110RLP	文件：67.57 Kbytes Page：4 Pages	Plug-in Detector Base 文件：67.57 Kbytes 页数：4 Pages	SYSTEMSENSOR	SYSTEMSENSOR
B110S	文件：429.8 Kbytes Page：3 Pages	nullSurface Mount Glass Passivated Bridge Rectifiers 文件：429.8 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
B110S	文件：158.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS 文件：158.66 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
B110SA	文件：163.98 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS 文件：163.98 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
B110-SP-CAT	文件：167.33 Kbytes Page：3 Pages	In-Line Network Surge Protector for Digital Signage - HDBaseT/10G Cat5e/6, IEC Compliant, TAA 文件：167.33 Kbytes 页数：3 Pages	TRIPPLITE	TRIPPLITE
B110-SP-CAT-OD2	文件：168.99 Kbytes Page：4 Pages	Outdoor In-Line PoE Surge Protector - IP68 Rated, 1 Gbps, Cat5e/6, IEC Compliant, 110 Punch Down, TAA 文件：168.99 Kbytes 页数：4 Pages	TRIPPLITE	TRIPPLITE
B110-SP-HDMI	文件：176.11 Kbytes Page：3 Pages	In-Line HDMI Surge Protector for Digital Signage - 4K @ 30 Hz, HDMI 1.4, HDCP, IEC Compliant, TAA 文件：176.11 Kbytes 页数：3 Pages	TRIPPLITE	TRIPPLITE
B110-SP-POE	文件：166.93 Kbytes Page：3 Pages	In-Line PoE Surge Protector for Digital Signage - 1G, IEC Compliant, TAA 文件：166.93 Kbytes 页数：3 Pages	TRIPPLITE	TRIPPLITE
B1100AE	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER The schottky rectifier providing low VF and excellent reverse leakage stability at high temperatures, this device is ideal for use in general rectification applications. Reduced Low Forward Voltage Drop (VF); Better Efficiency and Cooler Operation\nReduced High-temperature Reverse Leakage; Increased Reliability against Thermal Runaway Failure in High Temperature Operation.\nLead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes

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技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
N/P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
620
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
850
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.6
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.4
Ptot [max] (W)：
0.265
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
21.3
Coss [typ] (pF)：
5.4
Release date：
2016-06-28

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