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BCR192U	文件：206.9 Kbytes Page：9 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR192U	文件：115.81 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistorArray PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR192W	文件：206.9 Kbytes Page：9 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR192W	文件：34.76 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR192W	文件：231.04 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR192W	文件：841.88 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BH192	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BSS192	文件：75.16 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Pchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS192	文件：64.26 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT89package. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS •Linecurrentinterrupterintelephonesets •Relay,high-speedandlinetransformer	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS192	文件：372.5 Kbytes Page：16 Pages	240V,P-channelverticalD-MOStransistor 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeverticalDouble-DiffusedField-EffectTransistor(DMOSFET) inaSOT89(SC-62)mediumpowerandflatleadSurfaceMountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •DirectinterfacetoComplementary(C-MOS)transitorandTransisto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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