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BSS192中文资料安世数据手册PDF规格书

BSS192
厂商型号

BSS192

功能描述

240 V, P-channel vertical D-MOS transistor

丝印标识

KB

封装外壳

SOT89

文件大小

372.5 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 23:00:00

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BSS192规格书详情

1. General description

P-channel enhancement mode vertical Double-Diffused Field-Effect Transistor (DMOSFET)

in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface Mounted Device

(SMD) plastic package.

2. Features and benefits

• Direct interface to Complementary (C-MOS) transitor and Transistor-Transistor Logic

(TTL) devices

• Very fast switching

• No secondary breakdown

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• High-side loadswitch

• Switching circuits

产品属性

  • 型号:

    BSS192

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE-7 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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