| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
3000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
3405 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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INFINEONSOT23 |
9000 |
20+ |
公司现货!随时可以看货!特价支持实单! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
3000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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INFINEONSOT-23 |
60000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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159572 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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10000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
21146 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23-3 |
12100 |
24+ |
只做全新原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSOT23 |
50000 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
7906200 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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INFINEONSOT23 |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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BSS169图片
BSS169H6327XTSA1价格
BSS169H6327XTSA1价格：￥0.5207品牌：Infineon Technologies
生产厂家品牌为Infineon Technologies的BSS169H6327XTSA1多少钱，想知道BSS169H6327XTSA1价格是多少？参考价：￥0.5207。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSS169H6327XTSA1批发价格及采购报价，BSS169H6327XTSA1销售排行榜及行情走势，BSS169H6327XTSA1报价。
BSS169H6327资讯
BSS169H6327XTSA1只做原装，只有原装
BSS169H6327XTSA1只做原装，只有原装
BSS169H6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS169制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 0.17A SOT23
BSS169 E6327功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS169 E6906功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS169 H6327功能描述:MOSFET CHIPLIEFERUNGEN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS169 H6906功能描述:MOSFET CHIPLIEFERUNGEN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS169 L6327功能描述:MOSFET N-CH 100 V 0.17 A SMALL SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS169 L6906功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 100V .09A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS169_07制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS169E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS
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