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ON/安森美SOT-23

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onsemi/安森美SOT-23

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Nexperia安世SOT-23

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送

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NEXPERIASOT23

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NEXPERIA/安世SOT-23

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深圳市联世界科技有限公司

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ONSEMI/安森美SOT-23

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NEXPERIA/安世SOT-23

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26+

全新进口原装现货,假一罚十

深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市毅创辉电子科技有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市能元时代电子有限公司

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深圳市正纳电子有限公司

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BSS84,215功能描述:MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS84_1制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

BSS84_10制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

BSS84_D87Z功能描述:MOSFET P-Ch Spec Enhance Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS84_Q功能描述:MOSFET P-Channel Enhance RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS8402DW制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS

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BSS8402DW-7功能描述:MOSFET 60 / -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    BSS84

  • 制造商：

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

  • 包装：

    管件

  • 描述：

    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

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