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深圳市纳艾斯科技有限公司

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FAIRCHILD原厂原装正品

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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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Nexperia安世SOT-23

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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UMW 友台SOT-23

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深圳市南科功率半导体有限公司

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NK/南科功率SOT-23

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CJ/长电SOT-23

20000

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恩XPSOT-23

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恩XPN/A

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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ON

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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ONSEMI/安森美SOT-23

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深圳市凌旭科技有限公司

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Nexperia/安世SOT-23

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十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

深圳市富利微电子科技有限公司

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NEXPERIA/安世SOT-23

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深圳市讯顺达科技有限公司

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Slkor/萨科微SOT-23

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标准国际(香港)有限公司

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ONSEMINA

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长电SOT-23

32078

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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FAIRCHILDSOT23

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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CJ(江苏长电/长晶)SOT-23(SOT

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BSS84,215功能描述:MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS84_1制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

BSS84_10制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

BSS84_D87Z功能描述:MOSFET P-Ch Spec Enhance Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS84_Q功能描述:MOSFET P-Channel Enhance RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS8402DW制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS

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BSS8402DW-7功能描述:MOSFET 60 / -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    BSS84

  • 制造商：

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

  • 包装：

    管件

  • 描述：

    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

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