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BCR192W	文件：206.9 Kbytes Page：9 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 22kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：206.9 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR192W	文件：34.76 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=22kΩ, R2=47kΩ) 文件：34.76 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR192W	文件：231.04 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor 文件：231.04 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR192W	文件：841.88 Kbytes Page：8 Pages	丝印：WPs；Package：SOT323；PNP Silicon Digital Transistor 文件：841.88 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR192W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR192WE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR192WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Polarity ：
PNP (Single)
R1 ：
22.0kΩ
R2 ：
47.0kΩ
hFE min：
70.0
Vi (on) max：
1.2V
Vi (on) min：
0.82mA / 0.3V
Vi (off) max：
1.2100µA / 5V
VCEO max：
50.0V
VCBO max：
50.0V
VEBO max：
50.0V
Ptot max：
250.0mW
ICBO max：
100.0nA
fT ：
200.0MHz
VCE(sat) max：
0.3V
Mounting ：
SMT
R1 / R2 ：
0.47

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