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BAV102	文件：94.03 Kbytes Page：2 Pages	500mWHermeticallySealedGlassHighVoltageSwitchingDiodes Features ●HighVoltageSwitchingDevice ●MiniMelfpackage ●Surfacedevicetypemounting ●Hermeticallysealedglass ●Compressionbondedconstruction ●Allexternalsurfacearecorrosionresistantandleadsarereadilysolderable ●RoHScompliant ●MatteTin(Sn	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAV102	文件：248.8 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODES SILICONEPITAXIALPLANARDIODES HighVoltageGeneralPurposeDiodes	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAV102	文件：33.14 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODES FEATURES: •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.50V,100V,150Vand200Vrespectively •Repetitivepeakreversevoltage:max.60V,120V,200Vand250Vrespectively •Repetitivepeakforwardcurrent:max.625mA. •Pb/RoH	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
BAV102	文件：81.29 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV102	文件：38.48 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODES FEATURES: •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.50V,100V,150Vand200Vrespectively •Repetitivepeakreversevoltage:max.60V,120V,200Vand250Vrespectively •Repetitivepeakforwardcurrent:max.625mA. •Pb/RoH	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BAV102	文件：765.99 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •MoistureSensitivityLevel1 •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesincluding:theDO-35case withthetypedesi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAV102	文件：62.36 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV102	文件：58.07 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features ●Case:MiniMELF,Glass ●Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ●Polarity:CathodeBand ●Marking:CathodeBandOnly ●Weight:0.05grams(approx.) MechanicalData ●FastSwitchingSpeed ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForGeneralPur	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV102	文件：136.48 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Generalpurposes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV102	文件：627.742 Kbytes Page：3 Pages	150VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

产品属性

产品编号：
ATTINY102-MNR
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 微控制器
系列：
AVR® ATtiny
包装：
托盘
核心处理器：
AVR
内核规格：
8 位
速度：
12MHz
连接能力：
UART/USART
外设：
POR，PWM，WDT
程序存储容量：
1KB（1K x 8）
程序存储器类型：
闪存
RAM 大小：
32 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
1.8V ~ 5.5V
数据转换器：
A/D 5x10b
振荡器类型：
内部
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC MCU 8BIT 1KB FLASH 8SOIC

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