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BAV102	文件：54.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Generalpurposes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV102	文件：34.99 Kbytes Page：8 Pages	Generalpurposediodes DESCRIPTION TheBAV100toBAV103areswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages. FEATURES •SmallhermeticallysealedglassSMDpackage •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuou	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV102	文件：26.45 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltage,GeneralPurposeDiode GeneralDescription: AGeneralPurposediodethatcoupleshighforwardconductancefastswitchingspeedandhighblockingvoltagesinaglassleadlessLL-34SurfaceMountpackage. PlacementoftheExpansionGaphasnorelationshiptothelocationoftheCathodeTerminalwhichisindicatedby	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BAV102	文件：144.13 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodes ♦Forgeneralpurpose ♦Thesediodesarealsoavailableinother casestylesincluding:theDO-35casewith thetypedesignationsBAV19toBAV21,theSOD-123 casewiththetypedesignationsBAV19WtoBAV21W, andtheSOT-23casewiththe	GE GE Industrial Company	GE
BAV102	文件：133.07 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastSwitchingSurfaceMountSi-Rectifiers SuperfastRecoverySMDRectifierDiodes Features PackagecompatibletoSOD-87 Highpowerdissipation ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Rectificationofhigherfrequencies, Highspeedswitching Commercialgrade1) MechanicalData1)	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BAV102	文件：81.75 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafastsiliconrectifierdiodes ForwardCurrent:0,2A ReverseVoltage:50to300V Features ●Max.soldertemperature:260°C ●PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ●Onegreenringdenotescathodeandultrafastswitchingdevice ●Thetypenumbersarenotedonlyonthelableonthereel	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
BAV102	文件：46.17 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES VOLTAGE120to250VoltsPOWER300mWatts FEATURES •FastswitchingSpeed. •SurfaceMountPackageIdeallySuitedForAutomaticInsertion. •SiliconEpitaxalPlanarConstruction. •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV102	文件：171.04 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafastsiliconrectifierdiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
BAV102	文件：150.47 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE VOLTAGERANGE:50-200V CURRENT:250mA FEATURES ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇500mWpowerdissipation MECHANICALDATA ◇Case:MINI-MELF,glasscase ◇Polarity:Colorbanddenotescathode ◇Weight:Approx0.031grams	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV102	文件：103.87 Kbytes Page：2 Pages	SuperfastSwitchingSurfaceMountSi-Diodes	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

产品属性

产品编号：
ATTINY102-MNR
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 微控制器
系列：
AVR® ATtiny
包装：
托盘
核心处理器：
AVR
内核规格：
8 位
速度：
12MHz
连接能力：
UART/USART
外设：
POR，PWM，WDT
程序存储容量：
1KB（1K x 8）
程序存储器类型：
闪存
RAM 大小：
32 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
1.8V ~ 5.5V
数据转换器：
A/D 5x10b
振荡器类型：
内部
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC MCU 8BIT 1KB FLASH 8SOIC

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