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BUL128	文件：79.68 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：72.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：235.5 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：168.91 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
BUL128	文件：65.379 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BUL128	文件：265.57 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A ·VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitchmodepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL128D	文件：66.76 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage,highspeed ·Integratedantiparallelcollector-emitterdiode APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL128D	文件：65.58 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisd	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BUL128D	文件：267.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor EATURES ·Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A ·VeryHighSwitchingSpeed DESCRIPTION ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcost switch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL128DB	文件：193.57 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) •LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A •VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforelectronicballastsforfluorescentlighting.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
ATMEGA128A-AN
功能描述：
8位微控制器 -MCU AVR 128K Flash 16MHz 105 degree C Green
RoHS：
否
制造商：
Silicon Labs
核心：
8051
处理器系列：
C8051F39x
数据总线宽度：
8 bit
最大时钟频率：
50 MHz
程序存储器大小：
16 KB 数据 RAM
大小：
1 KB 片上
ADC：
Yes
工作电源电压：
1.8 V to 3.6 V
工作温度范围：
- 40 C to + 105 C
封装/箱体：
QFN-20
安装风格：
SMD/SMT

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